光学曝光造句
例句与造句
- 虽然可将其应用在某些光学印相中,但它并不是为光学曝光设计的。
- 而光学曝光的焦深只有1~2μm为,图5显示了聚焦离子束投影曝光获得的线条图形。
- 直接分步重复曝光系统是为适应这些相互制约的要求而发展起来的光学曝光系统。
- 为了提高分辨率,光学曝光机的波长不断缩小,从436mm、365mm的近紫外(NUV)进入到246 mm、193mm的深紫外(DUV)。
- 电子束(EB)具有波长短、分辨率高、焦深长、易于控制和修改灵活的特点,广泛应用于光学和非光学曝光的掩模制造。
- 用光学曝光造句挺难的,這是一个万能造句的方法
- 曝光是芯片制造中最关键的制造工艺,由于光学曝光技术的不断创新,它一再突破人们预期的光学曝光极限,使之成为当前曝光的主流技术。
- 电子抗蚀剂(Electron resist)是用于电子束曝光的一种抗蚀剂,属于高分子聚合物,其性能类似于光学曝光中的光致抗蚀剂,即辐照可使其产生化学或物理变化而形成图形。
- 人们出于对后光学技术可能难以胜任2008年的70nm,2011年的50nm担心,正大力研发下一代(NGL)非光学曝光,并把157nmF2准分子激光曝光作为填补后光学曝光和下一代非光学曝光间的间隙。
- 半导体制程常用的正型光阻剂,在光学曝光方式下,光阻剂上层接受能量较下层光阻高,使得正型光阻剂成像大部分图形为上窄下宽,无法经一次曝光方式即得到Overhang的图形,而负型光阻剂的成像恰好与正型光阻剂图像相反,所以负型光阻剂是lift-off制程的最佳选择。
- 《微纳米加工技术及其应用(第2版)》集作者多年来的实践经验与研究成果,并结合近年来国际上的最新发展,综合介绍了微纳米加工技术的基础,包括光学曝光技术、电子束曝光技术、聚焦离子束加工技术、扫描探针加工技术、微纳米尺度的复制技术、各种沉积法与刻蚀法图形转移技术、间接纳米加工技术与自组装纳米加工技术。