- Semi-conducteur dégénéré
简并半导体的法文
- Semi-conducteur dégénéré
例句与用法
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- 这是广义的Einstein关系,可用于简并半导体。
- 当然,这种Einstein关系仅适用于非简并半导体。
- 掺杂浓度在10 cm以上的半导体在室温下通常就会被视为是一个“简并半导体”(degenerated semiconductor)。
- 2、杂质带导电:在非简并半导体中,杂质浓度不算很大,杂质原子间距离比较远,它们间的相互作用可以忽略。
- 对于非简并半导体,载流子遵从Boltzmann分布,即可得到简单的Einstein关系:D=(kT/q)μ;但是对于简并半导体,载流子遵从Fermi-Dirac分布,则将得到比较复杂的Einstein关系。
- 发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。
- 它的工作符合发生隧道效应具备的三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。
- 1、简并半导体中杂质不能充分电离:通过分析计算,室温下,n型硅掺磷,发生简并的磷杂质浓度,经计算,电离施主浓度,因此硅中只有8.4%的杂质是电离的,但掺杂浓度较大,所以电子浓度还是较大。
- 1、简并半导体的载流子浓度:对于n型半导体,施主浓度很高,使费米能级接近或进入导带时,导带底附近底量子态基本上已被电子占据,导带中底电子书目很多,的条件不能成立,必须考虑泡利不相容原理的作用。
- 但是在重掺杂的简并半导体中,杂质浓度很高,杂质原子互相间很靠近,被杂质原子束缚的电子的波函数显著重叠,杂质电子就有可能在杂质原子之间产生共有化运动,从而使孤立的杂质能级扩展为能带,通常称为杂质能带。